Jihokorejské společnosti Samsung Electronics a SK Hynix vykázaly v prvním čtvrtletí 2026 mimořádně silné výsledky, když kombinace prudkého růstu cen pamětí a strukturální poptávky po AI čipech vedla k rekordním maržím přesahujícím 70 %. Data ukazují nástup tzv. paměťového supercyklu, který je tažen nedostatkem nabídky a technologickým posunem směrem k HBM pamětem pro AI infrastrukturu.
Rekordní výsledky Samsungu
$SSNLF vykázal za první čtvrtletí 2026 tržby 133,9 bilionu wonů, čímž překonal tržní odhady na úrovni 132,69 bilionu. Provozní zisk vzrostl meziročně o více než 750 % na 57,2 bilionu wonů, což představuje jeden z nejvýraznějších nárůstů v historii společnosti. Hlavním zdrojem tohoto růstu byl polovodičový segment, konkrétně paměťové čipy DRAM a HBM (vysokorychlostní paměti pro AI akcelerátory).
Za tímto výkonem stojí kombinace dvou faktorů: prudkého růstu cen a změny produktového mixu směrem k vysoce maržovým produktům. Management uvedl, že míra uspokojení poptávky zůstává na rekordně nízké úrovni, což znamená, že $SSNLF není schopen plně pokrýt objednávky ani při současném maximálním vytížení kapacit. Tento stav vede zákazníky k předzásobení, včetně kontraktů na dodávky až do roku 2027.
SK Hynix posouvá hranice ziskovosti
$HY9H.F dosáhl v prvním čtvrtletí tržeb 52,6 bilionu wonů, což představuje meziroční růst o 198 %, zatímco provozní zisk vzrostl o 405 % na 37,6 bilionu wonů. Klíčovým ukazatelem je však provozní marže na úrovni 72 %, která převyšuje i tradičně vysoce profitabilní společnosti jako $NVDA nebo $TSM.
Tento výsledek je důsledkem dominantní pozice $HY9H.F v segmentu HBM pamětí, kde firma drží přibližně 57% podíl. HBM paměti jsou klíčovou komponentou AI akcelerátorů (specializované čipy pro trénink modelů), a jejich komplexní výroba omezuje počet dodavatelů. Firma zároveň zvýšila podíl vysoce hodnotných produktů, jako jsou serverové DRAM moduly a enterprise SSD (úložiště pro datová centra), což dále posunulo marže.
Strukturální změna v poptávce po pamětech
Růst obou společností není cyklický v tradičním smyslu, ale je poháněn strukturální změnou v poptávce. AI infrastruktura vyžaduje výrazně vyšší paměťovou kapacitu a propustnost než tradiční aplikace, což zvyšuje význam HBM pamětí oproti standardním DRAM.
Podle odhadů Bank of America dosáhne trh HBM v roce 2026 hodnoty 54,6 miliard dolarů, což představuje meziroční růst o 58 %. Goldman Sachs očekává, že poptávka po HBM pro zákaznické ASIC čipy (na míru navržené AI čipy) poroste o 82 % a bude tvořit přibližně třetinu celkového trhu. Tento posun znamená, že paměti již nejsou komoditní produkt, ale kritická součást AI ekosystému.
Ceny DRAM a NAND jako hlavní driver
Jedním z klíčových faktorů růstu ziskovosti je dramatický nárůst cen pamětí. Kontraktní ceny DRAM vzrostly z 3,75 dolarů na 19,50 dolarů, což odpovídá nárůstu o více než 420 % během roku. Tento růst je výsledkem kombinace omezené nabídky a prudkého zvýšení poptávky ze strany datových center a AI aplikací.
Data ukazují, že ceny DRAM v prvním čtvrtletí vzrostly o 55-60 % mezikvartálně, zatímco NAND paměti přidaly 33-38 %. Tento trend je podpořen tím, že výrobci v předchozích letech omezili investice do kapacit kvůli slabé poptávce, což nyní vede k nedostatku na trhu. Nabídková strana tak reaguje se zpožděním, což prodlužuje trvání cenového růstu.
Technologický přechod na HBM4
Dalším důležitým faktorem je technologický přechod z HBM3E na HBM4, který začal masovou výrobou v roce 2026. Tento přechod představuje významné zvýšení výkonu i komplexity výroby, což dále omezuje počet schopných výrobců.
$HY9H.F je podle odhadů dobře pozicován pro získání až 70% podílu na HBM4 dodávkách pro platformy $NVDA Nvidia Rubin, což by mohlo dále posílit jeho tržní pozici. $SSNLF naopak akceleruje investice a již oznámil zahájení masové výroby HBM4, aby snížil technologický náskok konkurence.
Technologická náročnost HBM4 zároveň zvyšuje bariéry vstupu pro nové hráče, což podporuje dlouhodobou stabilitu marží. Výroba těchto pamětí vyžaduje pokročilé balicí technologie, které nejsou snadno replikovatelné.
Investice a kapacitní omezení
Obě společnosti reagují na zvýšenou poptávku masivními investicemi. $HY9H.F plánuje investovat více než 73 miliard USD do výrobních zařízení a výzkumu, zatímco $SSNLF plánuje zvýšit výrobní kapacitu přibližně o 50 %.
Tyto investice však mají dlouhý cyklus realizace. Nové továrny, jako Samsung P5 nebo SK Hynix M15X, budou plně funkční až mezi lety 2027 a 2028. To znamená, že krátkodobě zůstane nabídka omezená, což podporuje pokračování vysokých cen a marží.
Navíc dohody s velkými zákazníky, včetně kontraktů na dodávky DRAM waferů (výrobní kapacita pro paměťové čipy) pro AI projekty, naznačují, že poptávka je dlouhodobě zajištěná. Data ukazují, že zákazníci uzavírají kontrakty s předstihem několika let, což je atypické pro tradiční paměťový trh.